台积电3nm制程工艺今日量产 2nm预计在新竹与台中投产

12月29日消息（丁凡）日前，台积电在台南科学园区举办3纳米量产扩厂典礼，并由董事长刘德音致辞。

据悉，今天为台积电南科 纳米量产与晶圆18厂第八期上梁扩产。台积电的南科芯片 18 厂是 5 纳米及 3 纳米的生产基地，其中，芯片 18 厂5期至9期厂房是3纳米生产基地。台积电将采用产能有限的N3节点工艺，然后在2023年晚些时候转向更稳定、更高效的全面生产的N3E，随后在2024年转向 N3P，这一年台积电还将在新竹工厂将其2纳米GAA工艺投入试生产，并在2025年进行大规模生产。

此外，台积电在官网公布的信息显示，他们的3nm制程工艺，是5nm之后的另一个全世代制程，具备最佳的 PPA 及电晶体技术。同5nm制程工艺相比，3nm制程工艺的逻辑密度将增加约70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低25-30%。

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