中韩闪存芯片技术差已缩短至2年 国产SSD奋起直追

国产存储芯片正蓬勃发展，代表企业有合肥长鑫（DRAM）、武汉长江存储等。

日前，韩国研究机构OERI在一份报告中分析指出，中韩DRAM芯片技术的差距大约是5年，NAND闪存芯片则已经缩短至2年。

据悉，长江存储从2021年8月开始量产64层3D NAND，比三星、SK海力士只晚了两年。至于更先进的超200层3D闪存，三星和SK海力士需要等到明年初，预计长江存储会在2024年做到这一点。

不过，报告认为有个变量是如果苹果真的为旗下产品比如iPhone引入长江存储的芯片，那么或将起到打破产业链格局的作用。