三星电子时隔8年再于韩国新建研发中心

8月19日消息（郭睿琦）三星电子副会长李在镕19日先后访问公司位于京畿道器兴和华城的半导体厂，盘点半导体事务。这是李在镕在光复节获特赦重返经营一线后的第一个公开日程。

李在镕当天出席在京畿道器兴园区举行的下一代半导体研发（R&D）园区动工仪式。他表示，公司器兴半导体厂破土动工已过40年，今天在此再次开始新的挑战。没有对研发的大胆投资就不会有如今的三星半导体，让我们秉承“重视技术、先行投资”的传统，以前所未有的全新技术创造未来。

据韩国《亚洲日报》报道，该园区是三星电子自2014年之后时隔8年在国内新建研发中心。该研发园区总面积约10.9万平方米，将主管NAND闪存、晶圆代工、系统新片等新技术研发。三星电子计划到2028年对该园区投资约20万亿韩元（约合人民币1030亿元）。三星电子相关人士表示，若建成具备尖端设备的研发中心，有望缩短新一代产品研发时间，提升半导体质量。

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