联发科采用台积电3纳米制程芯片已成功流片，预计2024年量产
9月7日消息，联发科与台积电7日共同宣布，公司首款采用台积电公司 3 纳米制程生产的天玑旗舰芯片开发进度十分顺利，日前已成功流片，预计将在2024年量产。
据悉，台积电公司的 3 纳米制程技术不仅为高性能计算和移动应用提供完整的平台支持，还拥有更强化的性能、功耗以及良率。相较于 5 纳米制程，台积电公司 3 纳米制程技术的逻辑密度增加约 60 %，在相同功耗下速度提升 18 %，或者在相同速度下功耗降低 32%。
联发科首款采用台积电公司 3 纳米制程的天玑旗舰芯片将于 2024 年下半年上市。