三星宣布BSPDN技术新突破：2纳米芯片尺寸缩小17%

【环球网科技综合报道】8月23日消息，据韩国经济日报报道，三星电子副总裁兼晶圆代工厂PDK开发团队主管Sungjae Lee于当地时间8月22日，介绍了该公司在半导体技术领域的最新突破——BSPDN（背面供电网络）技术。这项创新技术将使2纳米芯片的尺寸缩小17%，同时实现性能提升8%、功耗降低15%的显著优化。

Sungjae Lee表示，BSPDN技术是一项重要的技术革新，它通过在芯片的背面构建供电网络，有效地减小了芯片的尺寸，并提升了其性能和能效。

他还透露，三星计划从2027年起，将BSPDN技术应用于2纳米工艺的量产中。这意味着，在未来几年内，我们将有望看到更小、更快、更节能的芯片产品问世，为电子设备的性能提升和功耗降低带来全新的可能。